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      漏（lòu）源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道基（jī）于（yú）超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET


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